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HTEH20120H-1R0MSR是Cyntec（乾坤）推出的屏蔽型、金屬磁芯、表面貼裝功率電感器，專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于筆記本CPU供電等薄型DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。

在全球芯片供應(yīng)鏈波動(dòng)背景下，國(guó)產(chǎn)電源模塊MUN3C1HR6-SB成為TI、ADI等大廠產(chǎn)品的理想替代選擇。它能替代TPS82671等多款型號(hào)，在輸入電壓、輸出電壓、封裝尺寸等關(guān)鍵參數(shù)上精準(zhǔn)匹配，具有供應(yīng)鏈穩(wěn)定、成本低廉及本土化支持等優(yōu)勢(shì)。

MGDM-155S是GAIA公司專為軍工、航空航天等極端環(huán)境設(shè)計(jì)的高可靠性DC-DC電源模塊，具備155-480VDC超寬輸入、-55℃至+105℃寬溫工作能力

HMC641A-Die是ADI基于GaAs MMIC工藝打造的高性能單刀四擲非反射式射頻開(kāi)關(guān)，覆蓋0.1至18/20GHz寬頻段，具有低插入損耗、高隔離度及50Ω匹配特性

若需替代EUVIS的MD663B高速12位DAC，TI的DAC8881雖未明確達(dá)到10GSPS采樣率，但其高速、高分辨率特性可能適配部分場(chǎng)景；ADI的AD5791雖為20位高精度DAC，但建立時(shí)間短、頻譜密度低，適合對(duì)分辨率要求不苛刻的高速應(yīng)用；

AT84AS001是E2V品牌推出的高性能12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，有500 MSPS采樣率、低功耗及1.5 GHz全功率輸入帶寬等特性。

342A024-12-0是TE Connectivity（Raychem 瑞侃）推出的高溫?zé)峥s型電纜分支模制件，采用耐高溫改性彈性體材料，45°側(cè)分線點(diǎn)設(shè)計(jì)，具備耐腐蝕、抗振動(dòng)特性，工作溫度范圍廣

646482-2是TE Connectivity推出的硬公制背板連接器護(hù)罩，采用B22型結(jié)構(gòu)與154個(gè)2.00mm間距公制針腳（5+2排布局），支持通孔式安裝，具備高密度信號(hào)傳輸能力。

1658682 - 1是TE Connectivity（Raychem瑞侃）生產(chǎn)的AMPLIMITE HDP - 22系列D - Sub高密度連接器外殼，有26個(gè)觸點(diǎn)位置，采用鋼制鍍錫外殼、2號(hào)尺寸，支持面板或電纜安裝、壓接端接，為3排黑色信號(hào)觸點(diǎn)，絕緣體是聚乙烯，工作溫度-55°C至105°C，額定電壓250VAC，阻燃等級(jí)UL 94V - 0且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

北京中科昊芯推出的 HXS320F28035 是 HX2000 系列 32 位浮點(diǎn) RISC-V 架構(gòu)數(shù)字信號(hào)控制器，基于自研 H28x 內(nèi)核，專為工業(yè)控制等高實(shí)時(shí)性場(chǎng)景設(shè)計(jì)，可替代傳統(tǒng) DSP 方案。

PMS152G 是應(yīng)廣科技推出的 8 位 OTP I/O 型“SuLED”系列單片機(jī)，以“多路 11 位 PWM+高灌電流 I/O”為核心，具備 1.25KW OTP 程序空間、80Byte SRAM 等硬件資源

PT32L076 是澎湃微電子推出的 32 位超低功耗高性能基于 ARM Cortex-M0 內(nèi)核的 MCU，適用于電池供電設(shè)備。它主頻最高 64MHz，F(xiàn)lash 存儲(chǔ)和 RAM 有多種容量可選，工作電壓范圍廣、溫度適應(yīng)性強(qiáng)，外設(shè)資源豐富

Leadway電源模塊兼容性極強(qiáng)，關(guān)鍵參數(shù)與封裝高度兼容國(guó)際品牌，如輸入輸出等核心指標(biāo)一致，采用相同封裝形式，實(shí)例中可原位替代Murata村田、TI等產(chǎn)品且無(wú)需調(diào)整電氣參數(shù)、物理尺寸和引腳定義；

Leadway電源模塊由深圳立維創(chuàng)展科技推出，性能上與國(guó)際品牌核心參數(shù)一致，部分更優(yōu)，效率高、MTBF長(zhǎng)且支持寬壓輸入；性價(jià)比突出，價(jià)格低40%，交貨快、供應(yīng)穩(wěn)；安全保護(hù)完備，有多重保護(hù)與多項(xiàng)認(rèn)證；兼容性強(qiáng)，可原位替代國(guó)際品牌并支持使能信號(hào)控制；

Leadway電源模塊由深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司推出，性價(jià)比極高。它性能對(duì)標(biāo)Murata村田等國(guó)際品牌，在關(guān)鍵指標(biāo)上保持一致水準(zhǔn)且全面優(yōu)化；價(jià)格優(yōu)勢(shì)顯著，批量采購(gòu)價(jià)僅為國(guó)際品牌同款的60%左右；兼容性強(qiáng)，可原位替代知名品牌產(chǎn)品

Leadway GaN系列模塊以120W/in3功率密度為核心，借助GaN材料特性突破實(shí)現(xiàn)高頻低損耗，通過(guò)磁集成與拓?fù)鋬?yōu)化壓縮體積，采用封裝與散熱創(chuàng)新確保穩(wěn)定性，體積縮減40%、效率達(dá)92%+。

Leadway 電機(jī)方案核心技術(shù)以“全國(guó)產(chǎn)器件 + 高功率密度電源模塊”為基礎(chǔ)，結(jié)合電路優(yōu)化、散熱及信號(hào)處理技術(shù)，形成高穩(wěn)定性、高性價(jià)比、小型化電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制系統(tǒng)方案。

GaN（氮化鎵）技術(shù)基于寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高頻、高效、大功率及高溫環(huán)境下表現(xiàn)卓越，相比傳統(tǒng)方案優(yōu)勢(shì)顯著：電子遷移率高、帶隙寬，可提升功率密度，實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化；開(kāi)關(guān)頻率高、損耗低，能效提升；